网上股票配资云芯晨半导体取得化合物半导体薄膜共振腔体结构专利，实现了小型化、高灵敏度与高可靠性的统一

国家知识产权局信息显示，深圳云芯晨半导体科技有限公司取得一项名为“一种化合物半导体薄膜共振腔体结构”的专利，授权公告号CN224216164U，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种化合物半导体薄膜共振腔体结构，包括锗晶圆衬底，所述锗晶圆衬底的顶面开设有多个阵列分布的薄膜共振腔体，所述薄膜共振腔体通过光刻工艺在锗晶圆衬底顶面开设形成，每个所述薄膜共振腔体的内部靠近中部均设置有氧化铝反射镀膜层，所述氧化铝反射镀膜层的左右边侧利用光刻技术分别设有高60μm、宽500μm的蓝宝石层高脚，所述蓝宝石层高脚与氧化铝反射镀膜层为一体结构并通过MOCVD技术选择性生长形成，该结构通过薄膜共振腔体微型化设计与阵列分布满足集成化需求，MOCVD一体化工艺减少组装误差，避免传统环氧树脂粘贴的界面分层问题，实现了小型化、高灵敏度与高可靠性的统一，克服声压响应灵敏度不足的问题。

天眼查资料显示，深圳云芯晨半导体科技有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳云芯晨半导体科技有限公司拥有行政许可6个。

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本文源自：市场资讯

作者：情报员

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